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Z77-GAMING主板 BIOS设置解说（二）
二、性能（OC超频）设置
点击OC按钮进入性能（OC超频）设置。
性能（OC超频）设置可以分为五个部分：CPU频率设置，微星超频，集显频率设置、内存频率设置，辅助超频设置、电压设置，以及CPU和内存的规格特征设置。
2-1、CPU频率设置
2-1-1、CPU基频（MHz）（CPU Base Clock）
设置CPU的外频，英特尔SNB/IVY处理器的外频是100MHz，这里的10000是以10Hz为基本单位。基频可以适当提高或降低。调整方法是直接键入想要的基频数值，或者用小键盘的+/-键，每敲一次键加/减1MHz。如果想恢复默认值，键入10000。
此项下面的灰色行就是当前的CPU基本频率。
调整FSB频率直接影响内存频率。所以，超频时请注意内存频率要与内存条标称频率相近，如果偏差较大，可能导致超频失败。
2-1-2、调整CPU倍频（Adjust CPU Ratio）
调整方法是直接键入想要的倍频数值。超倍频需要用解锁倍频的处理器。对于锁倍频的处理器来说，最高可设置的频率是该处理器的最高睿频频率。默认是Auto，就是处理器的默认倍频。
2-1-3、在OS内调整CPU倍频（Adjust CPU Ratio in OS）
开启/关闭在OS里设置CPU的倍频的功能。设置项有允许（Enabled）/禁止（Disabled），默认是Disabled（禁止）。在OS里调倍频需要通过微星的Control Center软件。
2-1-4、内部PLL过电压（Internal PLL Overvoltage）
开启/关闭内部PLL过电压保护，设置项有Auto/Disabled/Enabled，默认是Auto。
2-1-5、EIST（智能降频技术）
开启/关闭EIST（智能降频技术），设置项有（允许）Enabled/（禁止）Disabled，默认是Enabled（允许）。
EIST全称为“Enhanced Intel Speed Step Technology”，它能够根据不同的系统工作量自动调节处理器的电压和频率，以减少耗电量和发热量。
2-1-6、加速模式（Intel Turbo Boost）
开启/关闭英特尔睿频技术，设置项有（允许）Enabled/（禁止）Disabled，默认是Enabled（允许）。
英特尔睿频技术是根据CPU的实际作业情况提升核心的频率，比如一个核心作业就可以提高这个核心的频率，加速作业进程。智能加速技术提升的频率要看几个核心在运作，运作的核心越少，提升的频率越高。
2-1-7、增强加速（Enhanced Turbo）
设置项有（允许）Enabled/（禁止）Disabled，默认是Disabled（禁止）。
2-2、微星特色超频
2-2-1、一秒超频按钮（OC Genie Button Operation）
微星一秒超频按钮功能有2种：1是主板上的按钮，2是BIOS选项。
所以设置项有By Onboard Button（板上按钮）和By BIOS Option（BIOS选项），默认是By Onboard Button（板上按钮）。
2-2-2、我的一秒超频（My OC Genie）
这是用户自己设定私有的超频设置，设置项有Default（默认）和Customize（自选），默认是Default（默认）。
当设定为Customize（自选）时，增加My OC Genie Option（我的超频精灵选项）。
My OC Genie Option（我的超频精灵选项）是一个二级菜单，点击后显示下面的超频设置项。
这些超频设置都是个人私有的设置。设置后就可以生效。
如果不想再用这里的超频设置，可以在My OC Genie（我的超频精灵）里设置为Default（默认）。
这里列出的超频设置项，在本BIOS设置里面都有说明，这里不再重复。
2-3、内存频率设置
2-3-1、DRAM Reference Clock（DRAM参考频率）
DRAM参照频率是内存的基本频率，设置项有200/266，Auto，默认是Auto。
2-3-2、内存频率（DRAM Frequency）
这里是设置内存频率的，回车弹出内存频率选单，从中选择内存频率，最高支持3200MHz。
内存控制器整合到处理器内，支持内存的规格依据CPU了。
下表是SNB和IVB处理器在7系列主板上所支持的内存频率。
2-3-3、扩展内存预设技术（X.M.P）
XMP是英特尔提出的一种内存超频模式，就是把内存的超频频率和参数设置以文件的方式存在内存条的SPD模块中。BIOS启动XMP就是直接从SPD中读取超频设置参数设置内存和CPU的频率。
这里是开启/关闭XMP，设置项有设置项有Disabled（关闭）和Enabled（开启），默认是Disabled（关闭）。
该项设置只有使用XMP内存才显示。
2-3-4、DRAM时序模式（DRAM Timing Mode）
这里是设置内存时序的，设置项有Auto（自动）/联结（Link）/未联结（Unlink），默认是Auto。联结（Link）就是双通道一起调，未联结就是2个通道各自单独调。如果设定联结（Link）/未联结（Unlink），就是要进行高级内存配置，“高级内存配置”就变成可以设置的。
2-3-4-1、高级内存配置
现已联结（Link）为例说明高级DRAM配置的设置。
上列内存参数设置，左侧是参数名称，中间是默认值，右侧是设置项（Auto），要修改设置，请敲回车，从弹出的的参数菜单中选择。
Command Rate：命令速率，就是内存控制器开始发送命令到命令被送到内存芯片的延迟。设置项有Auto/1T/2T，默认是Auto，1T比2T快。但是要依据内存条的性能。性能低的设置1T后肯定要蓝屏死机。一般保持Auto就是依据SPD设置。
tCL（CAS Latency）：列地址选通潜伏时间，指的是在当前行访问和读一特定列的时钟周期。CAS控制从接受一个指令到执行指令之间的时间。因为CAS主要控制十六进制的地址，或者说是内存矩阵中的列地址，所以它是最为重要的参数，在稳定的前提下应该尽可能设低。
内存单元是按矩阵排列的，读写内存单元中的数据，首先是根据矩阵的“行”和“列”地址寻址的。当内存读写请求触发后，最初是tRP（Active to Precharge Delay：预充电延迟），预充电后，内存才真正开始初始化RAS（内存行地址选通）。一旦tRAS激活后，RAS（Row Address Strobe行地址选通 ）开始对需要的数据进行寻址。首先是“行”地址，然后初始化tRCD（RAS to CAS Delay行地址到列地址延迟），接着通过CAS（列地址选通）访问所需数据的精确十六进制地址。期间从CAS开始到CAS结束就是CAS延迟。所以CAS是找到数据的最后一个步骤，也是内存参数中最重要的。
这个参数控制内存接收到一条数据读取指令后要等待多少个时钟周期才实际执行该指令。同时该参数也决定了在一次内存突发传送过程中完成第一部分传送所需要的时钟周期数。这个参数越小，则内存的速度越快。必须注意部分内存不能运行在较低的延迟，可能会丢失数据，因此在提醒大家把CAS延迟设为2或2.5的同时，如果不稳定就只有进一步提高它了。而且提高延迟能使内存运行在更高的频率，所以需要对内存超频时，应该试着提高CAS延迟。
该参数对内存性能的影响最大， 是JEDEC规范中排在第一的参数，CAS值越低，内存读写操作越快，但稳定性下降，相反数值越高，读写速度降低，稳定性越高。参数范围5-15T。
tRCD（RAS to CAS Delay）：行地址到列地址的延迟时间，这是激活行地址选通和开始读列地址选通之间的时钟周期延迟。JEDEC规范中，它是排在第二的参数，降低此延时，可以提高系统性能，如果该值设置太低，同样会导致系统不稳定。参数范围4-15T。
tRP（Row precharge Delay）：行地址选通预充电时间。这是从一个行地址转换到下一个行地址所需的时钟周期（比如从一个Bank转换到下一个Bank）。预充电参数小可以减少预充电时间，从而更快地激活下一行。
但是该参数的大小取决于内存颗粒的体质，参数小将获取最高的性能，但可能会造成行激活之前的数据丢失，内存控制器不能顺利地完成读写操作，从而导致系统不稳定。参数值大将提高系统的稳定。参数范围4-15T。JEDEC规范中，它是排在第三的参数。
tRAS(Row active Strobe)：行地址选通。这是预充电和行数据存取之间的预充电延迟时间。也就是“内存行有效至预充电的最短周期”，调整这个参数要根据实际情况而定，并不是说越大或越小就越好。如果tRAS的周期太长，系统会因为无谓的等待而降低性能。降低tRAS周期，则会导致已被激活的行地址会更早的进入非激活状态。如果tRAS的周期太短，则可能因缺乏足够的时间而无法完成数据的突发传输，这样会引发丢失数据或损坏数据。该值一般设定为CAS latency + tRCD + 2个时钟周期。为提高系统性能，应尽可能降低tRAS的值，但如果发生内存错误或系统死机，则应该增大tRAS的值。参数范围10-40T。JEDEC规范中，它是排在第四的参数。
tRFC（Refresh Cycle Time）：刷新周期时间，这个参数表示自动刷新“行”周期时间，它是行单元刷新所需要的时钟周期数。该值也表示向相同的bank中的另一个行单元两次发送刷新指令(即：REF指令)之间的时间间隔。tRFC值越小越好，它比tRC的值要稍高一些。参数范围48-200T。
tWR（Timing of Write Recovery）：写恢复时间。这是一个有效的“写”动作和bank预充电到数据能正确写入之间的时间。就是说在一个激活的bank中完成有效的写操作及预充电前，必须等待多少个时钟周期。这段必须的时钟周期用来确保在预充电发生前，写缓冲中的数据可以被写进内存单元中。同样的，过低的tWR虽然提高了系统性能，但可能导致数据还未被正确写入到内存单元中，就发生了预充电操作，会导致数据的丢失及损坏。参数范围5-32T。
tWTR（Write to Read Delay）：写到读延时。这个参数表示在同一内存Bank区写命令和下一个读命令之间的延迟时间。也就是在同一个单元中，最后一次有效的写操作和下一次读操作之间必须等待的时钟周期。tWTR值偏高，降低了读性能，但提高了系统稳定性。偏低则提高读写性能，但系统会不稳定。参数范围4-15T。
tRRD（RAS to RAS Delay）：行选通到行选通延迟，也称为Row to Row delay。这是表示“行单元到行单元的延时”。该值也表示在同一个内存模组连续的行选通动作或者预充电行数据命令的最小延迟时间。tRRD值越小延迟越低，表示下一个bank能更快地被激活，进行读写操作。然而，由于需要一定量的数据，太短的延迟会引起连续数据膨胀。如果出现系统不稳定的情况，需将此值设定较高的时钟参数。参数范围4-15T。
tRTP（DRAM READ to PRE Time）：内部读取到预充电命令时间。这个参数实际上就是读命令和预充电明令之间的时间间隔。如果参数值过小，系统运行很快，但不稳定。参数范围4-5T。
tFAW（Four Activate Window）：FAW是Four Bank Activate Window的缩写，4个Bank激活窗口。这个参数就是4个Bank激活窗口的延迟。通常在8-bank设备中滚动tFAW窗口不要超过4bank。参数范围4-63T。
tWCL（Write CAS# Latency）：写CAS#延迟。SDRAM内存是随机访问的，这意味着内存控制器可以把数据写入任意的物理地址，大多数情况下，数据通常写入距离当前列地址最近的页面。tWCL表示写入的延迟，除了DDRII，一般可以设为1T，这个参数和大家熟悉的tCL（CAS-Latency）是相对的，tCL表示读的延迟。该参数主要影响稳定性。参数范围5-15T。
高级时序配置
tRRDR：Read-Read Different Rank，same DIMM。这个参数的含义是在同一个DIMM（就是同一条内存）内，读取不同RANK的延迟。参数范围1-6T。
tRRDD：Read-Read Different Rank。这个参数的含义是读取不同RANK的延迟（包括了所有DIMM）。参数范围1-6T。
tWWDR：Write-Write Different Rank，same DIMM。这个参数的含义是在同一个DIMM（就是同一条内存）内，写不同RANK的延迟。参数范围1-6T。
tWWDD：Write-Write Different Rank。这个参数的含义是写不同RANK的延迟（包括了所有DIMM）。参数范围1-6T。
tRWDRDD：Read-Write Different Ranks same or Different DIMM。这个参数的含义是在同一内存条或不同内存条上读-写不同的RANK的延迟。参数范围1-6T。
tWRDRDD：Write-Read Different Ranks same or Different DIMM。这个参数的含义是在同一内存条或不同内存条上写-读不同的RANK的延迟。参数范围1-6T。
tRWSR：Read-Write Same Rank。这个参数的含义是读-写同一个RANK的延迟。参数范围1-6T。
2-3-4-2、未联结（Unlink）的高级DRAM配置需要分别对2个通道进行设置。
每个通道的时序配置与前面的双通道联调是一样的，请参看。
2-3-5、Memory Fast Boot（内存快速启动）
开启/关闭内存快速启动，设置项有（允许）Enabled/（禁止）Disabled，默认是允许（Enabled）。
2-4、集显频率设置
安装整合有集显的处理器，就会出现这2项集显的超频设置。
2-4-1、GT超频（GT Over Clocking）
这是设置集显是否超频，设置项有允许（Enabled）/禁止（Disabled），默认是允许。
开启这项设置，下面就出现集显的倍频设置。
2-4-2、GT倍频（GT Ratio）
调整集显的倍频。
2-5、辅助超频设置
2-5-1、扩展频谱（Spread Spectrum）
扩展频谱也称展频技术。设置项有允许（Enabled）/禁止（Disabled），默认是禁止（Disabled）。
当主板上的时钟发生器工作时，脉冲的峰值会产生电磁干扰（EMI），展频技术可以降低脉冲发生器所产生的电磁干扰。在没有遇到电磁干扰问题时，可以设为Disabled（关闭），这样可以优化系统性能，提高系统稳定性；如果遇到电磁干扰问题，则应将该项设为Enabled（开启）以便减少电磁干扰。一般在超频时，最好将该项设置为Disabled，因为即使是微小的峰值飘移也会引起时钟的短暂突发，这样会导致超频后的处理器被锁死。
2-5-2、Vdroop 控制（Vdroop Control）
这是控制超频满载时出现电压降的控制选项。设置项有Auto和Level0-Level7等七个级别，默认为Auto。Level0-Level7，级别越高控制电压降的强度越大。如果感觉超频后，CPU满负荷时电压下降较大，可以设置为高级别的VDroop Control。
2-5-3、Digital Compensation Level（数字补偿）
数字控制的供电电流补偿。设置项有Auto和High。一般情况下设置为Auto即可。在玩超频时可以设置为High，增强电流补偿，保证CPU获得稳定的电流。
2-5-4、CPU核心过电流保护扩展（CPU Core OCP Expander）
为保护CPU，BIOS对CPU核心的电流都有限制，防止电流过大烧毁CPU。这个选项是扩展保护电流的限制值，开启这项设置有利于提高CPU的极限超频能力，但是也增大烧毁CPU的风险。开启这个设置后，CPU加电压要特别小心。设置项有Auto/1.5x/2x。默认是Auto。
2-5-5、CPU核心引擎速度（CPU Core Engine Speed）
这个选项是可以增加CPU供电MOS的开关频率，以便为CPU提供更稳定，更清洁的电流。MOS的开关速度增加也带来MOS的温度上升，容易烧MOS。所以开启这项设置，需要加强MOS的散热。设置项有Default（默认）/Enhanced（增强），默认是Default（默认）。
2-6、电压设置
2-6-1、CPU核心电压（CPU Core Voltage）
调整CPU核心电压。默认是Auto，调整方法是直接键入电压数值。调整核心电压要小心。强烈建议不要超过1.400V。如果想恢复Auto，直接键入Auto即可。
2-6-2、CPU I/O电压（CPU I/O Voltage）
调整CPU I/O电压。默认是Auto，调整方法是直接键入电压数值。如果想恢复Auto，直接键入Auto即可。
2-6-3、内存电压（DRAM Voltage）
调整内存的电压。默认是Auto，调整方法是直接键入电压数值。如果想恢复Auto，直接键入Auto即可。超内存电压要小心，DDR3内存一般不要超过1.65V。
2-6-4、GPU电压（GPU Voltage）
调整GPU电压。默认是Auto，调整方法是直接键入电压数值。如果想恢复Auto，直接键入Auto即可。
2-6-5、系统助理电压（SA）（System Agent Voltage）
这个电压就是整合在CPU里面的内存控制器（NB）的电压。默认是Auto，调整方法是直接键入电压数值。如果想恢复Auto，直接键入Auto即可。调整SA电压要小心。建议不要超过1.400V。一般保持默认就可以。
2-6-6、CPU PLL电压（CPU PLL Voltage）
这是CPU的时钟信号电压。默认是Auto，调整方法是直接键入电压数值。如果想恢复Auto，直接键入Auto即可。调整CPU PLL电压要小心，建议不要超过1.98V。一般保持默认就可以。
2-6-7、DDR_VREF_CA_A…..B（内存通道A/B电压）
调整内存A/B通道的电压。默认是Auto，调整方法是直接键入电压数值。如果想恢复Auto，直接键入Auto即可。超内存电压要小心，DDR3内存一般不要超过1.65V。
2-6-8、DDR_VREF_DA_A…..B（内存通道C/D电压）
调整内存A/B通道的电压。默认是Auto，调整方法是直接键入电压数值。如果想恢复Auto，直接键入Auto即可。超内存电压要小心，DDR3内存一般不要超过1.65V。
2-6-9、PCH 1.05 Voltage （PCH 1.05V电压）
这是Z77南桥芯片的1.5电压。默认是Auto，调整方法是直接键入电压数值。如果想恢复Auto，直接键入Auto即可。调整PCH芯片电压要小心。建议不要超过1.6V。一般保持默认就可以，不需要更改。
2-6-10、OC Retry Count（超频重试计数）
统计超频实验次数。
2-7、辅助的性能设置。
2-7-1、超频预置文件（Over clocking Profiles）
这是把超频的BIOS设置保存为一个预置文件，可以随时加载。
可以保存6个预置文件。
保存时需要键入文件名，以后可以加载（Load），也可以删除（Clear）。
比如保存预置文件1，在超频设定档1（Overclocking Profile 1）回车，在设定超频配置文件1的档名处输入文件名。然后点击保存超频配置文件1即可。
加载超频预置文件1（Load Overclocking Profile 1）保存超频配置文件后，可以由此调入加载。
清除超频预置文件1（Clear Overclocking Profile 1）删除超频配置文件。
2-7-1-1、储存超频配置文件到USB装置
这是把超频配置文件保存到U盘，确定要保存到U盘时，必须有U盘插在USB口，并弹出U盘供选择。
2-7-1-2、从USB装置下载超频配置文件到
这是从U盘读取超频配置文件，执行该功能请先把U盘插在USB口，并从弹出U盘供选择。
2-7-2、CPU规格（CPU Specifications）
这是显示CPU的规格
CPU支持的技术
2-7-3、MEMORY-Z（内存SPD信息）
先列出安装内存的4个内存槽，然后可以看到安装有内存条的“内存槽x SPD信息”。在此回车就可以看到该内存条的SPD信息。
支持XMP的内存，还有XMP规格信息。
2-7-4、CPU特征（CPU Features）
这是CPU的一些特征设置。因为不同型号的CPU特征不一样，不同型号CPU显示出来的特征项目也不一样。一般明亮的是该CPU支持的，灰色的是不支持的。
这些CPU功能特征也可以设置。
2-7-4-1、超线程（Hyper-threading）
开启/关闭超线程技术，设置项有禁止（Disabled）/允许（Enabled），默认是Enabled（允许）。注意当CPU本身支持超线程，才会出现这个选项。
2-7-4-2、激活处理器核心（Active Processor Core）
设置启用的核心，对于多核CPU来说，客户可以设置使用的核心。比如6个核心，可以设置使用3个核心。设置项有：All/2/3/4/5/6….。要处理器正常工作，最低有一个核心工作，所以设置项里没有1。
2-7-4-3、CPUID最大限制（Limit CPUID Maximum）
开启/关闭CPUID最大限制，设置项有禁止（Disabled）/允许（Enabled），默认是Disabled（禁止）。
CPU ID 就是CPU的信息，包括了CPU的型号，信息处理器家庭，高速缓存尺寸，时钟速度，制造厂，晶体管数，针脚类型，尺寸等信息。
CPU ID指令是Intel IA32架构下获得CPU信息的汇编指令，如果执行CPU ID指令返回的值大于3，可能会造成某些操作系统（比如NT4.0，）误动作，所以要限制返回的值大于3。Windows操作系统不受返回值的影响，使用Windows的用户就要关闭这项。只有哪些受返回值影响的OS才需要开启。
2-7-4-4、执行禁止位（Execute Disabled Bit）
开启/关闭扩展禁止位，设置项有禁止（Disabled）/允许（Enabled），默认是允许。Execute Disable Bit是Intel在新一代处理器中引入的一项功能，开启该功能后，可以防止病毒、蠕虫、木马等程序利用溢出、无限扩大等手法去破坏系统内存并取得系统的控制权。其工作原理是：处理器在内存中划分出几块区域，部分区域可执行应用程序代码，而另一些区域则不允许。当然，要实现处理器的“Execute Disable Bit”功能，还需要操作系统的配合才行。现在Windows系统、Linux 9.2及Red Hat Enterprise Linux 3 Update 3等均支持这一功能。
2-7-4-5、Intel虚拟化技术（Intel Virtualization Tech）
开启/关闭虚拟机，设置项有禁止（Disabled）/允许（Enabled），默认是Disabled（禁止）。当CPU支持该技术才可以高亮显示并可设置。
虚拟机就是在安装了Windows系统的PC机上，再设置一台共用此PC硬件的系统。这个系统就是虚拟机，虚拟机可以使一台PC同时使用2种不同的操作系统。
2-7-4-6、Intel（R）VT-D Tech（英特尔VT-D技术）
开启/关闭VT-D技术，设置项有禁止（Disabled）/允许（Enabled），默认是Disabled（禁止）。当CPU支持该技术才可以高亮显示并可设置。
VT-D技术就是I/O 虚拟分配技术。英特尔 VT-d 是英特尔虚拟化技术硬件架构的最新成员。VT-d 能够改进应用的兼容性和可靠性，并提供更高水平的可管理性、安全性、隔离性和 I/O 性能，从而帮助 VMM 更好地利用硬件。通过使用构建在英特尔芯片组内部的 VT-d 硬件辅助，VMM 能够获得更出色的性能、可用性、可靠性、安全性和可信度。
2-7-4-7、电源技术（Power Technology）
电源技术就是节能技术，设置项有禁止（Disable）/能效（Energy Efficient）/定制（Custom），默认是自选（定制）。
如果设置成“禁止”后面的“Intel C-State”和“封装C状态限制”也会变成不可设置。
2-7-4-8、C1E支援（C1E Support）
开启/关闭C1E支持，设置项有禁止（Disabled）/允许（Enabled），默认是Disabled（禁止）。
C1E的全称是C1E enhanced halt stat，由操作系统HLT命令触发，通过调节倍频降低处理器的主频，同时还可以降低电压。
2-7-4-9、过速保护（Over Speed Protection）
开启/关闭过速保护，设置项有禁止（Disabled）/允许（Enabled），默认是Enabled（允许）。
过速保护就是超频过度，可能影响CPU寿命。开启这个保护，就会防止超频过度，如果过度就不能开机。
2-7-4-10、Intel C-State（英特尔 C-状态）
开启/关闭C-State，设置项有禁止（Disabled）/允许（Enabled），默认是Enabled（允许）。
C-State是ACPI定义的处理器的电源状态。处理器电源状态被设计为C0,C1,C2,C3...Cn。C0电源状态是活跃状态，即CPU执行指令。C1到Cn都是处理器睡眠状态，即和C0状态相比，处理器消耗更少的能源并且释放更少的热量。但在这睡眠状态下，处理器都有一个恢复到C0的唤醒时间，不同的C-State要耗费不同的唤醒时间。
C-State与C1E的区别：C-State是ACPI控制的休眠机制，C1E是HLT指令控制的降低CPU频率节能。C1E是C0状态下的节能。
2-7-4-11、封装C状态限制（Package C State Limit）
这是设置C状态限制。设置项有Auto/C0/C2/C6/No Limit，默认是Auto。
如果限制到C0，C1E就不起作用，如果限制到C2，就不能进入C3更节能的状态，超频时也可以设置为No Limit（不限制）。
2-7-4-12、长周期电力限制（W）（Long duration Power Limit）
从功耗角度设定TDP，默认是CPU的设计功耗，不同的CPU，默认值可能不一样，当前的3690X是130W。客户可以自己设置，既可以设小功耗，也可以加大功耗。如果想超频，可以解除TDP限制。所谓长时间就是在设定的功耗下长时间运作。
2-7-4-13、长周期维护（S）（Long duration maintained）
从时间角度设定TDP，也就是说设置在当前功耗下运作的时间，设置单位是秒。
2-7-4-14、短周期电力限制（W）（Short duration Power Limit）
从功耗角度设定短时间TDP，设置单位是W。这是设置Turbo Boost可以在短时间内超出TDP限制，但是不能超过这个功耗。
2-7-4-15、第一平台电流值
设置第一平台的最大瞬间允许电流，默认是1024。
2-7-4-16、第二平台电流值
设置第一平台的最大瞬间允许电流，默认是50。
2-7-4-17、第一平台turbo功耗限制（W）（Primary plane turbo Power Limit）
这是把CPU内的整合显卡作为主显的Turbo超频功耗限制。设置范围0-6瓦。
2-7-4-18、第二平台turbo功耗限制（W）（Secondary plane turbo Power Limit）
这是把CPU内的整合显卡作为主显的Turbo超频功耗限制。设置范围0-6瓦。
2-7-4-19、单核心倍率限制
CPU单核心运作时的最高倍频，本例默认是39。
2-7-4-20、双核心倍率限制
CPU双核心运作时的最高倍频，本例默认是39。
2-7-4-21、三核心倍率限制
CPU三核心运作时的最高倍频，本例默认是38。
二、性能（OC超频）设置
点击OC按钮进入性能（OC超频）设置。
性能（OC超频）设置可以分为五个部分：CPU频率设置，微星超频，集显频率设置、内存频率设置，辅助超频设置、电压设置，以及CPU和内存的规格特征设置。
2-1、CPU频率设置
2-1-1、CPU基频（MHz）（CPU Base Clock）
设置CPU的外频，英特尔SNB/IVY处理器的外频是100MHz，这里的10000是以10Hz为基本单位。基频可以适当提高或降低。调整方法是直接键入想要的基频数值，或者用小键盘的+/-键，每敲一次键加/减1MHz。如果想恢复默认值，键入10000。
此项下面的灰色行就是当前的CPU基本频率。
调整FSB频率直接影响内存频率。所以，超频时请注意内存频率要与内存条标称频率相近，如果偏差较大，可能导致超频失败。
2-1-2、调整CPU倍频（Adjust CPU Ratio）
调整方法是直接键入想要的倍频数值。超倍频需要用解锁倍频的处理器。对于锁倍频的处理器来说，最高可设置的频率是该处理器的最高睿频频率。默认是Auto，就是处理器的默认倍频。
2-1-3、在OS内调整CPU倍频（Adjust CPU Ratio in OS）
开启/关闭在OS里设置CPU的倍频的功能。设置项有允许（Enabled）/禁止（Disabled），默认是Disabled（禁止）。在OS里调倍频需要通过微星的Control Center软件。
2-1-4、内部PLL过电压（Internal PLL Overvoltage）
开启/关闭内部PLL过电压保护，设置项有Auto/Disabled/Enabled，默认是Auto。
2-1-5、EIST（智能降频技术）
开启/关闭EIST（智能降频技术），设置项有（允许）Enabled/（禁止）Disabled，默认是Enabled（允许）。
EIST全称为“Enhanced Intel Speed Step Technology”，它能够根据不同的系统工作量自动调节处理器的电压和频率，以减少耗电量和发热量。
2-1-6、加速模式（Intel Turbo Boost）
开启/关闭英特尔睿频技术，设置项有（允许）Enabled/（禁止）Disabled，默认是Enabled（允许）。
英特尔睿频技术是根据CPU的实际作业情况提升核心的频率，比如一个核心作业就可以提高这个核心的频率，加速作业进程。智能加速技术提升的频率要看几个核心在运作，运作的核心越少，提升的频率越高。
2-1-7、增强加速（Enhanced Turbo）
设置项有（允许）Enabled/（禁止）Disabled，默认是Disabled（禁止）。
2-2、微星特色超频
2-2-1、一秒超频按钮（OC Genie Button Operation）
微星一秒超频按钮功能有2种：1是主板上的按钮，2是BIOS选项。
所以设置项有By Onboard Button（板上按钮）和By BIOS Option（BIOS选项），默认是By Onboard Button（板上按钮）。
2-2-2、我的一秒超频（My OC Genie）
这是用户自己设定私有的超频设置，设置项有Default（默认）和Customize（自选），默认是Default（默认）。
当设定为Customize（自选）时，增加My OC Genie Option（我的超频精灵选项）。
My OC Genie Option（我的超频精灵选项）是一个二级菜单，点击后显示下面的超频设置项。
这些超频设置都是个人私有的设置。设置后就可以生效。
如果不想再用这里的超频设置，可以在My OC Genie（我的超频精灵）里设置为Default（默认）。
这里列出的超频设置项，在本BIOS设置里面都有说明，这里不再重复。
2-3、内存频率设置
2-3-1、DRAM Reference Clock（DRAM参考频率）
DRAM参照频率是内存的基本频率，设置项有200/266，Auto，默认是Auto。
2-3-2、内存频率（DRAM Frequency）
这里是设置内存频率的，回车弹出内存频率选单，从中选择内存频率，最高支持3200MHz。
内存控制器整合到处理器内，支持内存的规格依据CPU了。
下表是SNB和IVB处理器在7系列主板上所支持的内存频率。
2-3-3、扩展内存预设技术（X.M.P）
XMP是英特尔提出的一种内存超频模式，就是把内存的超频频率和参数设置以文件的方式存在内存条的SPD模块中。BIOS启动XMP就是直接从SPD中读取超频设置参数设置内存和CPU的频率。
这里是开启/关闭XMP，设置项有设置项有Disabled（关闭）和Enabled（开启），默认是Disabled（关闭）。
该项设置只有使用XMP内存才显示。
2-3-4、DRAM时序模式（DRAM Timing Mode）
这里是设置内存时序的，设置项有Auto（自动）/联结（Link）/未联结（Unlink），默认是Auto。联结（Link）就是双通道一起调，未联结就是2个通道各自单独调。如果设定联结（Link）/未联结（Unlink），就是要进行高级内存配置，“高级内存配置”就变成可以设置的。
2-3-4-1、高级内存配置
现已联结（Link）为例说明高级DRAM配置的设置。
上列内存参数设置，左侧是参数名称，中间是默认值，右侧是设置项（Auto），要修改设置，请敲回车，从弹出的的参数菜单中选择。
Command Rate：命令速率，就是内存控制器开始发送命令到命令被送到内存芯片的延迟。设置项有Auto/1T/2T，默认是Auto，1T比2T快。但是要依据内存条的性能。性能低的设置1T后肯定要蓝屏死机。一般保持Auto就是依据SPD设置。
tCL（CAS Latency）：列地址选通潜伏时间，指的是在当前行访问和读一特定列的时钟周期。CAS控制从接受一个指令到执行指令之间的时间。因为CAS主要控制十六进制的地址，或者说是内存矩阵中的列地址，所以它是最为重要的参数，在稳定的前提下应该尽可能设低。
内存单元是按矩阵排列的，读写内存单元中的数据，首先是根据矩阵的“行”和“列”地址寻址的。当内存读写请求触发后，最初是tRP（Active to Precharge Delay：预充电延迟），预充电后，内存才真正开始初始化RAS（内存行地址选通）。一旦tRAS激活后，RAS（Row Address Strobe行地址选通 ）开始对需要的数据进行寻址。首先是“行”地址，然后初始化tRCD（RAS to CAS Delay行地址到列地址延迟），接着通过CAS（列地址选通）访问所需数据的精确十六进制地址。期间从CAS开始到CAS结束就是CAS延迟。所以CAS是找到数据的最后一个步骤，也是内存参数中最重要的。
这个参数控制内存接收到一条数据读取指令后要等待多少个时钟周期才实际执行该指令。同时该参数也决定了在一次内存突发传送过程中完成第一部分传送所需要的时钟周期数。这个参数越小，则内存的速度越快。必须注意部分内存不能运行在较低的延迟，可能会丢失数据，因此在提醒大家把CAS延迟设为2或2.5的同时，如果不稳定就只有进一步提高它了。而且提高延迟能使内存运行在更高的频率，所以需要对内存超频时，应该试着提高CAS延迟。
该参数对内存性能的影响最大， 是JEDEC规范中排在第一的参数，CAS值越低，内存读写操作越快，但稳定性下降，相反数值越高，读写速度降低，稳定性越高。参数范围5-15T。
tRCD（RAS to CAS Delay）：行地址到列地址的延迟时间，这是激活行地址选通和开始读列地址选通之间的时钟周期延迟。JEDEC规范中，它是排在第二的参数，降低此延时，可以提高系统性能，如果该值设置太低，同样会导致系统不稳定。参数范围4-15T。
tRP（Row precharge Delay）：行地址选通预充电时间。这是从一个行地址转换到下一个行地址所需的时钟周期（比如从一个Bank转换到下一个Bank）。预充电参数小可以减少预充电时间，从而更快地激活下一行。
但是该参数的大小取决于内存颗粒的体质，参数小将获取最高的性能，但可能会造成行激活之前的数据丢失，内存控制器不能顺利地完成读写操作，从而导致系统不稳定。参数值大将提高系统的稳定。参数范围4-15T。JEDEC规范中，它是排在第三的参数。
tRAS(Row active Strobe)：行地址选通。这是预充电和行数据存取之间的预充电延迟时间。也就是“内存行有效至预充电的最短周期”，调整这个参数要根据实际情况而定，并不是说越大或越小就越好。如果tRAS的周期太长，系统会因为无谓的等待而降低性能。降低tRAS周期，则会导致已被激活的行地址会更早的进入非激活状态。如果tRAS的周期太短，则可能因缺乏足够的时间而无法完成数据的突发传输，这样会引发丢失数据或损坏数据。该值一般设定为CAS latency + tRCD + 2个时钟周期。为提高系统性能，应尽可能降低tRAS的值，但如果发生内存错误或系统死机，则应该增大tRAS的值。参数范围10-40T。JEDEC规范中，它是排在第四的参数。
tRFC（Refresh Cycle Time）：刷新周期时间，这个参数表示自动刷新“行”周期时间，它是行单元刷新所需要的时钟周期数。该值也表示向相同的bank中的另一个行单元两次发送刷新指令(即：REF指令)之间的时间间隔。tRFC值越小越好，它比tRC的值要稍高一些。参数范围48-200T。
tWR（Timing of Write Recovery）：写恢复时间。这是一个有效的“写”动作和bank预充电到数据能正确写入之间的时间。就是说在一个激活的bank中完成有效的写操作及预充电前，必须等待多少个时钟周期。这段必须的时钟周期用来确保在预充电发生前，写缓冲中的数据可以被写进内存单元中。同样的，过低的tWR虽然提高了系统性能，但可能导致数据还未被正确写入到内存单元中，就发生了预充电操作，会导致数据的丢失及损坏。参数范围5-32T。
tWTR（Write to Read Delay）：写到读延时。这个参数表示在同一内存Bank区写命令和下一个读命令之间的延迟时间。也就是在同一个单元中，最后一次有效的写操作和下一次读操作之间必须等待的时钟周期。tWTR值偏高，降低了读性能，但提高了系统稳定性。偏低则提高读写性能，但系统会不稳定。参数范围4-15T。
tRRD（RAS to RAS Delay）：行选通到行选通延迟，也称为Row to Row delay。这是表示“行单元到行单元的延时”。该值也表示在同一个内存模组连续的行选通动作或者预充电行数据命令的最小延迟时间。tRRD值越小延迟越低，表示下一个bank能更快地被激活，进行读写操作。然而，由于需要一定量的数据，太短的延迟会引起连续数据膨胀。如果出现系统不稳定的情况，需将此值设定较高的时钟参数。参数范围4-15T。
tRTP（DRAM READ to PRE Time）：内部读取到预充电命令时间。这个参数实际上就是读命令和预充电明令之间的时间间隔。如果参数值过小，系统运行很快，但不稳定。参数范围4-5T。
tFAW（Four Activate Window）：FAW是Four Bank Activate Window的缩写，4个Bank激活窗口。这个参数就是4个Bank激活窗口的延迟。通常在8-bank设备中滚动tFAW窗口不要超过4bank。参数范围4-63T。
tWCL（Write CAS# Latency）：写CAS#延迟。SDRAM内存是随机访问的，这意味着内存控制器可以把数据写入任意的物理地址，大多数情况下，数据通常写入距离当前列地址最近的页面。tWCL表示写入的延迟，除了DDRII，一般可以设为1T，这个参数和大家熟悉的tCL（CAS-Latency）是相对的，tCL表示读的延迟。该参数主要影响稳定性。参数范围5-15T。
高级时序配置
tRRDR：Read-Read Different Rank，same DIMM。这个参数的含义是在同一个DIMM（就是同一条内存）内，读取不同RANK的延迟。参数范围1-6T。
tRRDD：Read-Read Different Rank。这个参数的含义是读取不同RANK的延迟（包括了所有DIMM）。参数范围1-6T。
tWWDR：Write-Write Different Rank，same DIMM。这个参数的含义是在同一个DIMM（就是同一条内存）内，写不同RANK的延迟。参数范围1-6T。
tWWDD：Write-Write Different Rank。这个参数的含义是写不同RANK的延迟（包括了所有DIMM）。参数范围1-6T。
tRWDRDD：Read-Write Different Ranks same or Different DIMM。这个参数的含义是在同一内存条或不同内存条上读-写不同的RANK的延迟。参数范围1-6T。
tWRDRDD：Write-Read Different Ranks same or Different DIMM。这个参数的含义是在同一内存条或不同内存条上写-读不同的RANK的延迟。参数范围1-6T。
tRWSR：Read-Write Same Rank。这个参数的含义是读-写同一个RANK的延迟。参数范围1-6T。
2-3-4-2、未联结（Unlink）的高级DRAM配置需要分别对2个通道进行设置。
每个通道的时序配置与前面的双通道联调是一样的，请参看。
2-3-5、Memory Fast Boot（内存快速启动）
开启/关闭内存快速启动，设置项有（允许）Enabled/（禁止）Disabled，默认是允许（Enabled）。
2-4、集显频率设置
安装整合有集显的处理器，就会出现这2项集显的超频设置。
2-4-1、GT超频（GT Over Clocking）
这是设置集显是否超频，设置项有允许（Enabled）/禁止（Disabled），默认是允许。
开启这项设置，下面就出现集显的倍频设置。
2-4-2、GT倍频（GT Ratio）
调整集显的倍频。
2-5、辅助超频设置
2-5-1、扩展频谱（Spread Spectrum）
扩展频谱也称展频技术。设置项有允许（Enabled）/禁止（Disabled），默认是禁止（Disabled）。
当主板上的时钟发生器工作时，脉冲的峰值会产生电磁干扰（EMI），展频技术可以降低脉冲发生器所产生的电磁干扰。在没有遇到电磁干扰问题时，可以设为Disabled（关闭），这样可以优化系统性能，提高系统稳定性；如果遇到电磁干扰问题，则应将该项设为Enabled（开启）以便减少电磁干扰。一般在超频时，最好将该项设置为Disabled，因为即使是微小的峰值飘移也会引起时钟的短暂突发，这样会导致超频后的处理器被锁死。
2-5-2、Vdroop 控制（Vdroop Control）
这是控制超频满载时出现电压降的控制选项。设置项有Auto和Level0-Level7等七个级别，默认为Auto。Level0-Level7，级别越高控制电压降的强度越大。如果感觉超频后，CPU满负荷时电压下降较大，可以设置为高级别的VDroop Control。
2-5-3、Digital Compensation Level（数字补偿）
数字控制的供电电流补偿。设置项有Auto和High。一般情况下设置为Auto即可。在玩超频时可以设置为High，增强电流补偿，保证CPU获得稳定的电流。
2-5-4、CPU核心过电流保护扩展（CPU Core OCP Expander）
为保护CPU，BIOS对CPU核心的电流都有限制，防止电流过大烧毁CPU。这个选项是扩展保护电流的限制值，开启这项设置有利于提高CPU的极限超频能力，但是也增大烧毁CPU的风险。开启这个设置后，CPU加电压要特别小心。设置项有Auto/1.5x/2x。默认是Auto。
2-5-5、CPU核心引擎速度（CPU Core Engine Speed）
这个选项是可以增加CPU供电MOS的开关频率，以便为CPU提供更稳定，更清洁的电流。MOS的开关速度增加也带来MOS的温度上升，容易烧MOS。所以开启这项设置，需要加强MOS的散热。设置项有Default（默认）/Enhanced（增强），默认是Default（默认）。
2-6、电压设置
2-6-1、CPU核心电压（CPU Core Voltage）
调整CPU核心电压。默认是Auto，调整方法是直接键入电压数值。调整核心电压要小心。强烈建议不要超过1.400V。如果想恢复Auto，直接键入Auto即可。
2-6-2、CPU I/O电压（CPU I/O Voltage）
调整CPU I/O电压。默认是Auto，调整方法是直接键入电压数值。如果想恢复Auto，直接键入Auto即可。
2-6-3、内存电压（DRAM Voltage）
调整内存的电压。默认是Auto，调整方法是直接键入电压数值。如果想恢复Auto，直接键入Auto即可。超内存电压要小心，DDR3内存一般不要超过1.65V。
2-6-4、GPU电压（GPU Voltage）
调整GPU电压。默认是Auto，调整方法是直接键入电压数值。如果想恢复Auto，直接键入Auto即可。
2-6-5、系统助理电压（SA）（System Agent Voltage）
这个电压就是整合在CPU里面的内存控制器（NB）的电压。默认是Auto，调整方法是直接键入电压数值。如果想恢复Auto，直接键入Auto即可。调整SA电压要小心。建议不要超过1.400V。一般保持默认就可以。
2-6-6、CPU PLL电压（CPU PLL Voltage）
这是CPU的时钟信号电压。默认是Auto，调整方法是直接键入电压数值。如果想恢复Auto，直接键入Auto即可。调整CPU PLL电压要小心，建议不要超过1.98V。一般保持默认就可以。
2-6-7、DDR_VREF_CA_A…..B（内存通道A/B电压）
调整内存A/B通道的电压。默认是Auto，调整方法是直接键入电压数值。如果想恢复Auto，直接键入Auto即可。超内存电压要小心，DDR3内存一般不要超过1.65V。
2-6-8、DDR_VREF_DA_A…..B（内存通道C/D电压）
调整内存A/B通道的电压。默认是Auto，调整方法是直接键入电压数值。如果想恢复Auto，直接键入Auto即可。超内存电压要小心，DDR3内存一般不要超过1.65V。
2-6-9、PCH 1.05 Voltage （PCH 1.05V电压）
这是Z77南桥芯片的1.5电压。默认是Auto，调整方法是直接键入电压数值。如果想恢复Auto，直接键入Auto即可。调整PCH芯片电压要小心。建议不要超过1.6V。一般保持默认就可以，不需要更改。
2-6-10、OC Retry Count（超频重试计数）
统计超频实验次数。
2-7、辅助的性能设置。
2-7-1、超频预置文件（Over clocking Profiles）
这是把超频的BIOS设置保存为一个预置文件，可以随时加载。
可以保存6个预置文件。
保存时需要键入文件名，以后可以加载（Load），也可以删除（Clear）。
比如保存预置文件1，在超频设定档1（Overclocking Profile 1）回车，在设定超频配置文件1的档名处输入文件名。然后点击保存超频配置文件1即可。
加载超频预置文件1（Load Overclocking Profile 1）保存超频配置文件后，可以由此调入加载。
清除超频预置文件1（Clear Overclocking Profile 1）删除超频配置文件。
2-7-1-1、储存超频配置文件到USB装置
这是把超频配置文件保存到U盘，确定要保存到U盘时，必须有U盘插在USB口，并弹出U盘供选择。
2-7-1-2、从USB装置下载超频配置文件到
这是从U盘读取超频配置文件，执行该功能请先把U盘插在USB口，并从弹出U盘供选择。
2-7-2、CPU规格（CPU Specifications）
这是显示CPU的规格
CPU支持的技术
2-7-3、MEMORY-Z（内存SPD信息）
先列出安装内存的4个内存槽，然后可以看到安装有内存条的“内存槽x SPD信息”。在此回车就可以看到该内存条的SPD信息。
支持XMP的内存，还有XMP规格信息。
2-7-4、CPU特征（CPU Features）
这是CPU的一些特征设置。因为不同型号的CPU特征不一样，不同型号CPU显示出来的特征项目也不一样。一般明亮的是该CPU支持的，灰色的是不支持的。
这些CPU功能特征也可以设置。
2-7-4-1、超线程（Hyper-threading）
开启/关闭超线程技术，设置项有禁止（Disabled）/允许（Enabled），默认是Enabled（允许）。注意当CPU本身支持超线程，才会出现这个选项。
2-7-4-2、激活处理器核心（Active Processor Core）
设置启用的核心，对于多核CPU来说，客户可以设置使用的核心。比如6个核心，可以设置使用3个核心。设置项有：All/2/3/4/5/6….。要处理器正常工作，最低有一个核心工作，所以设置项里没有1。
2-7-4-3、CPUID最大限制（Limit CPUID Maximum）
开启/关闭CPUID最大限制，设置项有禁止（Disabled）/允许（Enabled），默认是Disabled（禁止）。
CPU ID 就是CPU的信息，包括了CPU的型号，信息处理器家庭，高速缓存尺寸，时钟速度，制造厂，晶体管数，针脚类型，尺寸等信息。
CPU ID指令是Intel IA32架构下获得CPU信息的汇编指令，如果执行CPU ID指令返回的值大于3，可能会造成某些操作系统（比如NT4.0，）误动作，所以要限制返回的值大于3。Windows操作系统不受返回值的影响，使用Windows的用户就要关闭这项。只有哪些受返回值影响的OS才需要开启。
2-7-4-4、执行禁止位（Execute Disabled Bit）
开启/关闭扩展禁止位，设置项有禁止（Disabled）/允许（Enabled），默认是允许。Execute Disable Bit是Intel在新一代处理器中引入的一项功能，开启该功能后，可以防止病毒、蠕虫、木马等程序利用溢出、无限扩大等手法去破坏系统内存并取得系统的控制权。其工作原理是：处理器在内存中划分出几块区域，部分区域可执行应用程序代码，而另一些区域则不允许。当然，要实现处理器的“Execute Disable Bit”功能，还需要操作系统的配合才行。现在Windows系统、Linux 9.2及Red Hat Enterprise Linux 3 Update 3等均支持这一功能。
2-7-4-5、Intel虚拟化技术（Intel Virtualization Tech）
开启/关闭虚拟机，设置项有禁止（Disabled）/允许（Enabled），默认是Disabled（禁止）。当CPU支持该技术才可以高亮显示并可设置。
虚拟机就是在安装了Windows系统的PC机上，再设置一台共用此PC硬件的系统。这个系统就是虚拟机，虚拟机可以使一台PC同时使用2种不同的操作系统。
2-7-4-6、Intel（R）VT-D Tech（英特尔VT-D技术）
开启/关闭VT-D技术，设置项有禁止（Disabled）/允许（Enabled），默认是Disabled（禁止）。当CPU支持该技术才可以高亮显示并可设置。
VT-D技术就是I/O 虚拟分配技术。英特尔 VT-d 是英特尔虚拟化技术硬件架构的最新成员。VT-d 能够改进应用的兼容性和可靠性，并提供更高水平的可管理性、安全性、隔离性和 I/O 性能，从而帮助 VMM 更好地利用硬件。通过使用构建在英特尔芯片组内部的 VT-d 硬件辅助，VMM 能够获得更出色的性能、可用性、可靠性、安全性和可信度。
2-7-4-7、电源技术（Power Technology）
电源技术就是节能技术，设置项有禁止（Disable）/能效（Energy Efficient）/定制（Custom），默认是自选（定制）。
如果设置成“禁止”后面的“Intel C-State”和“封装C状态限制”也会变成不可设置。
2-7-4-8、C1E支援（C1E Support）
开启/关闭C1E支持，设置项有禁止（Disabled）/允许（Enabled），默认是Disabled（禁止）。
C1E的全称是C1E enhanced halt stat，由操作系统HLT命令触发，通过调节倍频降低处理器的主频，同时还可以降低电压。
2-7-4-9、过速保护（Over Speed Protection）
开启/关闭过速保护，设置项有禁止（Disabled）/允许（Enabled），默认是Enabled（允许）。
过速保护就是超频过度，可能影响CPU寿命。开启这个保护，就会防止超频过度，如果过度就不能开机。
2-7-4-10、Intel C-State（英特尔 C-状态）
开启/关闭C-State，设置项有禁止（Disabled）/允许（Enabled），默认是Enabled（允许）。
C-State是ACPI定义的处理器的电源状态。处理器电源状态被设计为C0,C1,C2,C3...Cn。C0电源状态是活跃状态，即CPU执行指令。C1到Cn都是处理器睡眠状态，即和C0状态相比，处理器消耗更少的能源并且释放更少的热量。但在这睡眠状态下，处理器都有一个恢复到C0的唤醒时间，不同的C-State要耗费不同的唤醒时间。
C-State与C1E的区别：C-State是ACPI控制的休眠机制，C1E是HLT指令控制的降低CPU频率节能。C1E是C0状态下的节能。
2-7-4-11、封装C状态限制（Package C State Limit）
这是设置C状态限制。设置项有Auto/C0/C2/C6/No Limit，默认是Auto。
如果限制到C0，C1E就不起作用，如果限制到C2，就不能进入C3更节能的状态，超频时也可以设置为No Limit（不限制）。
2-7-4-12、长周期电力限制（W）（Long duration Power Limit）
从功耗角度设定TDP，默认是CPU的设计功耗，不同的CPU，默认值可能不一样，当前的3690X是130W。客户可以自己设置，既可以设小功耗，也可以加大功耗。如果想超频，可以解除TDP限制。所谓长时间就是在设定的功耗下长时间运作。
2-7-4-13、长周期维护（S）（Long duration maintained）
从时间角度设定TDP，也就是说设置在当前功耗下运作的时间，设置单位是秒。
2-7-4-14、短周期电力限制（W）（Short duration Power Limit）
从功耗角度设定短时间TDP，设置单位是W。这是设置Turbo Boost可以在短时间内超出TDP限制，但是不能超过这个功耗。
2-7-4-15、第一平台电流值
设置第一平台的最大瞬间允许电流，默认是1024。
2-7-4-16、第二平台电流值
设置第一平台的最大瞬间允许电流，默认是50。
2-7-4-17、第一平台turbo功耗限制（W）（Primary plane turbo Power Limit）
这是把CPU内的整合显卡作为主显的Turbo超频功耗限制。设置范围0-6瓦。
2-7-4-18、第二平台turbo功耗限制（W）（Secondary plane turbo Power Limit）
这是把CPU内的整合显卡作为主显的Turbo超频功耗限制。设置范围0-6瓦。
2-7-4-19、单核心倍率限制
CPU单核心运作时的最高倍频，本例默认是39。
2-7-4-20、双核心倍率限制
CPU双核心运作时的最高倍频，本例默认是39。
2-7-4-21、三核心倍率限制
CPU三核心运作时的最高倍频，本例默认是38。
